CMOS兼容铁电NAND闪存，用于高密度，低功耗和高速三维存储器

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  CMOS兼容铁电NAND闪存，用于高密度，低功耗和高速三维存储器

  通过 金敏圭, 金益再, 李长植

  科学进步2021年1月13日 ：eabe1341

  为高性能，超高密度铁电存储器提供了独特的三维集成策略。

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